合康变频获专利证书 利好“高毛利”变频器产业

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变频变频（d）空穴密度与200K下Mn掺杂浓度的关系。利证（b）AM3和M3的XPS光谱结果。

2005年，书利国际顶级期刊Science提出了125个全世界最前沿的科学问题，是否可以制备出室温下的磁性半导体即为其中之一。毛利（d）在Si0.25Ge0.75晶格的不同位置掺杂Mn原子的形成能。图三、器产铁磁性能（a）AM1、AM2、AM3和M3磁化的温度依赖性。

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